bmb+f Forschungsprojekt | Zeitraum: Juni 2004 bis Mai 2007 |
Projektleiter: | Prof. Dr. W. Römisch, Humboldt-Universität zu Berlin, Tel: 030 - 2093 2561 / Sekr. 2353 , | |
E-Mail: romisch@mathematik.hu-berlin.de | ||
Projektmitarbeiter: | Dipl.-Math. Thorsten Sickenberger, Humboldt-Universität zu Berlin, Tel: 030 - 2093 5448 / Sekr. 2353 , | |
E-Mail: sickenberger@mathematik.hu-berlin.de | ||
Industrie-Partner: | Infineon Technologies AG - MP PDT CS ATS, Dr. Denk / Dr. Feldmann, München | |
universitäre Projektpartner: | Prof. Dr. C. Tischendorf, Technische Universität Berlin (03TINAVN) | |
Prof. Dr. M. Günther, Bergische Universität Wuppertal (03GUNAVN) | ||
Prof. Dr. A. Jüngel, Johannes Gutenberg-Universität Mainz (03JUNAVN) | ||
Die Projektvorhaben bilden den internen Verbund "Numerische Simulation von Multiskalenmodellen für Hochfrequenzschaltungen im Zeitbereich". |
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Das Vorhaben wird mit Mitteln des BMBF im Rahmen des Mathematikprogramms |
Der bisherige Fortschritt in der Mikroelektronik wurde erst durch die intensive Nutzung rechnergestützter Techniken zur numerischen Simulation der Schaltungen ermöglicht. Gängige Simulationspakete des Industriepartners Infineon Technologies benutzen zur Modellierung dieser Schaltkreise die ladungsorientierte modifizierte Knotenanalyse und übernehmen die numerische Simulation des im allgemeinen sehr grossen Systems speziell strukturierter Algebro-Differentialgleichungen. Aufgrund der rasanten Entwicklung in der Telekommunikation ist dieser Anwendungsbereich für Infineon Technologies von strategischer Bedeutung. Auch in den kommenden Jahren ist zu erwarten, dass sich der technologische Fortschritt ungebremst fortsetzen wird.
Durch die zunehmende Miniaturisierung mikroelektronischer Hochfrequenzschaltungen (HF-Schaltungen) beispielsweise im Bereich der Kommunikationselektronik, vollzieht sich der Übergang von der Mikro- zur Nanoelektronik, der durch die ständige Verkleinerung der Baulemente und weitere Frequenzsteigerungen charakterisiert ist. Hierbei verringert sich auch der Abstand von gewünschten Signalen zu auftretendem Rauschen. Das inhärente Eigenrauschen der Basiselemente (Widerstände, Transistoren,...) kann das Systemverhalten so erheblich beeinflussen, dass die bisher üblichen, auf Linearisierung in der Lösung des deterministischen Problems basierenden, Verfahren zur Rauschanalyse nicht mehr befriedigen. Um festzustellen, ob entworfene Schaltungen unter diesen Bedingungen das beabsichtigte Verhalten aufweisen, müssen die Rauscheffekte in geeigneter Form mitmodelliert und im Zeitbereich, d.h. in der Transientenanalyse, simuliert werden.
Thermisches Rauschen von Widerstäden und Schrotrauschen von Halbleiterübergägen werden durch Hinzunahme von Gaussschen weissen Rauschquellen zu den deterministischen Beschreibungsgleichungen modelliert. Basierend auf der ladungs-orientierten modifizierten Knotenanalyse entstehen grosse Systeme von speziell strukturierten stochastischen Algebro-Differentialgleichungen (SDAEs) mit einer grossen Anzahl von kleinen Rauschquellen.
Die Humboldt-Universität verbindet eine langjährige wissenschaftliche Kooperation mit der entsprechenden Arbeitsgruppe von Infineon. In einem früheren vom BMBF gefördertem Projekt wurden Grundlagen für die Entwicklung von Fehlerschätzern und Schrittweitensteuerungen gelegt und ein schrittweitengesteuertes drift-implizites Euler-Verfahren für SDAEs entwickelt.
Ziel des Projektes ist die Entwicklung effizienter Algorithmen zum Berechnen eines Ensembles von Lösungspfaden (d.h. Lösungen für ein Ensemble von Rauschrealisierungen), aus denen vom Kooperationspartner benötigte Charakteristika wie Phasenrauschen oder Augendiagramme gewonnen werden können. Brauchbare Aussagen erhät man erst aus der Auswertung vieler (einiger Hundert) stochastisch gestörter Lösungspfade, für deren Berechnung es bisher keine effizienten numerischen Verfahren gibt.
Hierzu sollten Algorithmen entwickelt werden, deren Kosten nicht um Grössenordnungen höher sind als beim deterministischen Rechnen mit Verfahren höherer Ordnung. Überdies sollten die Kosten langsamer steigen als die Anzahl der berechneten Lösungspfade. Insbesondere wird Folgendes Gegenstand der Untersuchung sein: